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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
9.7
17.1
写入速度,GB/s
6.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3047
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
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