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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
18.5
写入速度,GB/s
6.0
14.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3402
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
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Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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