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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
36
左右 17% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
36
读取速度,GB/s
10.6
14.0
写入速度,GB/s
6.8
10.1
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2416
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM的比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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