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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
73
左右 42% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
73
读取速度,GB/s
9.7
14.5
写入速度,GB/s
6.0
7.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1736
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
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Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
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