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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
58
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
58
读取速度,GB/s
9.7
15.7
写入速度,GB/s
6.0
9.9
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2096
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
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Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
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