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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
9.7
16.4
写入速度,GB/s
6.0
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3123
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
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Kingston 9965589-006.E00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
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