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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
16.1
写入速度,GB/s
870.4
13.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3047
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB RAM的比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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