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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
17.8
写入速度,GB/s
6.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3337
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
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