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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

总分
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

总分
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 42
    左右 -75% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.1 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.8 left arrow 6.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 10600
    左右 1.81 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    9.7 left arrow 17.1
  • 写入速度，GB/s
    6.0 left arrow 12.8
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1396 left arrow 3257

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB RAM的比较

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内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
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内存RAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
内存RAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
内存RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
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内存RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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内存RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
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Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
内存RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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