RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
42
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
24
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
3257
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link