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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
9.7
16.9
写入速度,GB/s
6.0
12.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3208
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
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