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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
9.7
16.6
写入速度,GB/s
6.0
8.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2631
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
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SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.T16 8GB
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