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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
42
左右 -31% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
32
读取速度,GB/s
9.7
16.0
写入速度,GB/s
6.0
10.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2714
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905704-007.A00G 4GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
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