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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
40
读取速度,GB/s
9.7
15.7
写入速度,GB/s
6.0
11.6
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2972
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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