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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston 9905622-025.A00G 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
差异
规格
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差异
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
9.7
12.3
写入速度,GB/s
6.0
9.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2339
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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