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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.5
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
9.7
16.5
写入速度,GB/s
6.0
16.5
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3634
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR26N19D8/16 16GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
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Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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