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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
81
左右 48% 更低的延时
需要考虑的原因
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
81
读取速度,GB/s
9.7
14.4
写入速度,GB/s
6.0
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1824
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
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