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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
54
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
54
读取速度,GB/s
9.7
15.7
写入速度,GB/s
6.0
11.6
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2511
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
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