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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
42
左右 -75% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.3
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
24
读取速度,GB/s
9.7
13.6
写入速度,GB/s
6.0
6.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
1764
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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