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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
63
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
63
读取速度,GB/s
9.7
17.0
写入速度,GB/s
6.0
8.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
2061
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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