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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.8
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.8
17.8
写入速度,GB/s
8.4
15.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
3593
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
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