RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2226
3593
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link