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Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
总分
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
12.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.8
20.1
写入速度,GB/s
8.4
16.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2226
3759
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
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