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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
Kingston KCDT82-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KCDT82-MIE 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
53
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
38
读取速度,GB/s
3,726.4
17.0
写入速度,GB/s
1,590.1
12.5
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2302
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
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