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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
10.6
15.7
写入速度,GB/s
7.8
17.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3671
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
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