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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
3,325.1
16.8
写入速度,GB/s
1,441.2
12.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3007
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
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