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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
42
左右 -91% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
22
读取速度,GB/s
10.6
17.3
写入速度,GB/s
7.8
13.2
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2648
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
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Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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