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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
10.6
17.3
写入速度,GB/s
7.8
14.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
3544
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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