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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
83
左右 45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
3200
左右 6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
83
读取速度,GB/s
2,909.8
15.1
写入速度,GB/s
1,519.2
8.3
内存带宽,mbps
3200
19200
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1663
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
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Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
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