RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
83
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
3200
Intorno 6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
83
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
19200
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
1663
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link