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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
35
左右 -35% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.3
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
26
读取速度,GB/s
13.7
18.3
写入速度,GB/s
9.6
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3312
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
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