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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
13.7
15.8
写入速度,GB/s
9.6
13.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2991
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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