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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
35
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
25
读取速度,GB/s
13.7
15.7
写入速度,GB/s
9.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2868
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
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