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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
13.7
16.3
写入速度,GB/s
9.6
15.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3205
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
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