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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

总分
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 35
    左右 -30% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.3 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    35 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    13.7 left arrow 17.3
  • 写入速度，GB/s
    9.6 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2312 left arrow 3632

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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内存RAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Micron Technology 8G2666CL19 8GB
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内存RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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内存RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
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Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
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内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston 9905701-003.A00G 16GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
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G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
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内存RAM