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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
比较
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
总分
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
11.7
16.6
写入速度,GB/s
8.4
13.8
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1578
3277
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
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