RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1578
3277
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link