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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
13.7
18.2
写入速度,GB/s
9.6
15.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
3666
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
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