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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston 9965600-012.A02G 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
44
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
44
读取速度,GB/s
13.7
10.5
写入速度,GB/s
9.6
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2562
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Kingston 9965600-012.A02G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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