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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
2,784.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,806.8
16.9
写入速度,GB/s
2,784.6
9.6
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2607
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
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