RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2607
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link