RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Note globale
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
65
Autour de -86% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
2,784.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,806.8
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,784.6
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
932
2607
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link