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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
57
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
57
读取速度,GB/s
13.7
15.1
写入速度,GB/s
9.6
10.3
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2276
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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