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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
36
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
36
读取速度,GB/s
13.7
15.8
写入速度,GB/s
9.6
10.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2736
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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