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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
34
读取速度,GB/s
13.7
15.8
写入速度,GB/s
9.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2902
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
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