Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    30 left arrow 35
    左右 -17% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    18 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    14.3 left arrow 9.6
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    35 left arrow 30
  • 读取速度,GB/s
    13.7 left arrow 18.0
  • 写入速度,GB/s
    9.6 left arrow 14.3
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2312 left arrow 3466
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2

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