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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.6
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
35
左右 -59% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
22
读取速度,GB/s
13.7
13.6
写入速度,GB/s
9.6
6.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2312
2120
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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