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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,109.3
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
60
左右 -107% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
29
读取速度,GB/s
4,162.7
17.2
写入速度,GB/s
2,109.3
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
784
3228
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
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