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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
比较
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
总分
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
总分
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
68
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,944.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
23
读取速度,GB/s
3,973.0
17.4
写入速度,GB/s
1,944.9
13.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
673
3039
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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