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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
39
读取速度,GB/s
14.7
14.1
写入速度,GB/s
9.2
11.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
2940
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB RAM的比较
Transcend Information JM1600KLN-4GK 2GB
Micron Technology ITC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB RAM的比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
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